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公開番号2025117355
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-12
出願番号2024012150
出願日2024-01-30
発明の名称基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/316 20060101AFI20250804BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】プラズマによるダメージを抑制する基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】表面に金属膜と絶縁膜とを有する基板を準備する工程と、前記基板に芳香族化合物を供給し、前記金属膜上に選択的にブロッキング層を形成する工程と、形成した前記ブロッキング層を用いて、前記絶縁膜上に選択的に対象膜を形成する工程と、前記基板に第1の熱処理を施し、前記金属膜上の前記ブロッキング層を除去する工程と、を有する、基板処理方法。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
表面に金属膜と絶縁膜とを有する基板を準備する工程と、
前記基板に芳香族化合物を供給し、前記金属膜上に選択的にブロッキング層を形成する工程と、
形成した前記ブロッキング層を用いて、前記絶縁膜上に選択的に対象膜を形成する工程と、
前記基板に第１の熱処理を施し、前記金属膜上の前記ブロッキング層を除去する工程と、を有する、
基板処理方法。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記ブロッキング層を形成する温度は、前記芳香族化合物の沸点より低い温度である、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記対象膜を形成する温度は、前記芳香族化合物の沸点より低い温度である、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記対象膜を形成する温度は、２５℃～１５０℃の範囲内である、
請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記芳香族化合物は、アニリン、ピリジン、ベンゼン、トルエン、シクロヘキサンのうちの１つである、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第１の熱処理の温度は、芳香族化合物の沸点より高い温度である、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第１の熱処理の温度は、８０℃～４００℃の範囲内である、
請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記ブロッキング層を形成した後、前記対象膜を形成する前に、前記基板に第２の熱処理を施し、前記絶縁膜上に残存する前記芳香族化合物を脱離させる工程をさらに有する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第２の熱処理の温度は、２５℃～１５０℃である、
請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記ブロッキング層を形成する工程と、前記対象膜を形成する工程と、を繰り返す、
請求項１に記載の基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システムに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、誘電体層と金属層とを含有する基材を提供する工程と、前記基材上にセルフアセンブル単層を形成する分子を含有する反応ガスに前記基材を暴露する工程と、その後、堆積ガスに前記ＳＡＭを含む前記基材を暴露することにより前記金属層の表面と比べて選択的に前記誘電体層の表面上に金属酸化物膜を堆積する工程と、を含む基材の加工方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第７３３０６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、プラズマによるダメージを抑制する基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、表面に金属膜と絶縁膜とを有する基板を準備する工程と、前記基板に芳香族化合物を供給し、前記金属膜上に選択的にブロッキング層を形成する工程と、形成した前記ブロッキング層を用いて、前記絶縁膜上に選択的に対象膜を形成する工程と、前記基板に第１の熱処理を施し、前記金属膜上の前記ブロッキング層を除去する工程と、を有する、基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、プラズマによるダメージを抑制する基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本実施形態に係る処理システムＰＳの一例を示す図。
処理装置の一例を示す図。
本実施形態に係る基板処理方法を説明するフローチャートの一例。
本実施形態に係る基板処理方法の各工程における基板Ｗの構造を示す模式図の一例。
ブロッキング層が形成される範囲を示す上面模式図の一例。
参考例に係る基板処理方法の各工程における基板の構造を示す模式図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
〔処理システム〕
本実施形態に係る処理システムＰＳの一例について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る処理システムＰＳの一例を示す図である。
【００１０】
処理システムＰＳは、処理装置ＰＭ１～ＰＭ４と、真空搬送室ＶＴＭと、ロードロック室ＬＬ１～ＬＬ３と、大気搬送室ＬＭと、ロードポートＬＰ１～ＬＰ３と、全体制御部ＣＵとを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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