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公開番号2025115679
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2024010254
出願日2024-01-26
発明の名称半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
出願人ミネベアパワーデバイス株式会社
代理人ポレール弁理士法人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250731BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本発明の目的は、小型化及び部品点数低減が可能な半導体装置及びそれを用いた電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第一のMOSFET及び第二のMOSFETが夫々隣り合うよう配置され、リードフレーム上に、前記第一のMOSFETに対応する第一の制御素子及び第一のコンデンサと、前記第二のMOSFETに対応する第二の制御素子及び第二のコンデンサとを備えたことを特徴とする。又は、本発明の電力変換装置は、第一のMOSFET及び第二のMOSFETが夫々隣り合うよう配置され、リードフレーム上に、前記第一のMOSFETに対応する第一の制御素子及び第一のコンデンサと、前記第二のMOSFETに対応する第二の制御素子及び第二のコンデンサとを備えた半導体装置を配置している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第一のＭＯＳＦＥＴ及び第二のＭＯＳＦＥＴが夫々隣り合うよう配置され、
リードフレーム上に、前記第一のＭＯＳＦＥＴに対応する第一の制御素子及び第一のコンデンサと、前記第二のＭＯＳＦＥＴに対応する第二の制御素子及び第二のコンデンサとを備えたことを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 540 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記リードフレーム上で外部出力可能な端子を設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記リードフレーム上で外部出力可能な端子を設け、隣り合う前記第一のＭＯＳＦＥＴ及び前記第二のＭＯＳＦＥＴの間で配線を回避することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第一のＭＯＳＦＥＴ及び第二のＭＯＳＦＥＴが夫々隣り合うよう配置され、
リードフレーム上に、前記第一のＭＯＳＦＥＴに対応する第一の制御素子及び第一のコンデンサと、前記第二のＭＯＳＦＥＴに対応する第二の制御素子及び第二のコンデンサとを備えた半導体装置を配置した電力変換装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電力変換装置において、
前記リードフレーム上で外部出力可能な端子を設けることを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
請求項４に記載の電力変換装置において、
前記リードフレーム上で外部出力可能な端子を設け、隣り合う前記第一のＭＯＳＦＥＴ及び前記第二のＭＯＳＦＥＴの間で配線を回避することを特徴とする電力変換装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びそれを用いた電力変換装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
複数の半導体素子を用いてブリッジ回路を構成し、電力変換機能を持たせたパワー半導体モジュールは、鉄道車両や再生可能エネルギー発電システム等の社会インフラから、エアコンの室外機等の個人の生活に密着するものまで、多岐にわたる製品に採用されている。
【０００３】
環境・資源問題をはじめとする社会的な要請を背景に、これらのパワー半導体モジュールにも更なる高効率化が求められている。
【０００４】
本技術分野の背景技術として、例えば、特許文献１のような技術がある。特許文献１には、「簡便に組み立てることが可能である損失が低い半導体装置」が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、「半導体チップの発熱を効率良く放熱させるためのシングルインライン型ブリッジダイオード」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１５－１１６０５３号公報
特開２００２－２６２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
非同期整流素子とは異なり、同期整流素子の場合は、MOSFET、コンデンサ、制御素子から構成されるパッケージ構造素子である。これら４ケ搭載する同期整流素子構造を見直すことで搭載サイズ小型化及び部品点数削減することが望まれる。
【０００８】
本発明の目的は、小型化及び部品点数低減が可能な半導体装置及びそれを用いた電力変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置は、第一のＭＯＳＦＥＴ及び第二のＭＯＳＦＥＴが夫々隣り合うよう配置され、リードフレーム上に、前記第一のＭＯＳＦＥＴに対応する第一の制御素子及び第一のコンデンサと、前記第二のＭＯＳＦＥＴに対応する第二の制御素子及び第二のコンデンサとを備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の電力変換装置は、第一のＭＯＳＦＥＴ及び第二のＭＯＳＦＥＴが夫々隣り合うよう配置され、リードフレーム上に、前記第一のＭＯＳＦＥＴに対応する第一の制御素子及び第一のコンデンサと、前記第二のＭＯＳＦＥＴに対応する第二の制御素子及び第二のコンデンサとを備えた半導体装置を配置している。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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