特許ウォッチ

公開番号2025115720
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2024010324
出願日2024-01-26
発明の名称基板処理方法と基板処理装置
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/308 20060101AFI20250731BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板を適切に処理する基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基板処理方法および基板処理装置1に関する。基板処理方法は、基板を処理するためのものである。基板Wは、第1層31と第2層32を含む。第2層32は、第1層31の組成と同じ組成を有する。第1層31は、第1露出面31Sを有する。第2層32は、第2露出面32Sを有する。第2露出面32Sは、第1露出面31Sよりも狭い。基板処理方法は、エッチング工程を備える。エッチング工程では、エッチング液Jnが基板Wに供給される。エッチング工程では、第1層31と第2層32がエッチングされる。エッチング液Jnは、フッ化水素酸と重水を含む。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板は、
第１層と、
前記第１層の組成と同じ組成を有する第２層と、
を含み、
前記第１層は第１露出面を有し、
前記第２層は、前記第１露出面よりも狭い第２露出面を有し、
前記基板処理方法は、
フッ化水素酸と重水を含むエッチング液を前記基板に供給して、前記第１層と前記第２層をエッチングするエッチング工程と、
を備える
基板処理方法。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第１露出面は、第１露出幅を有し、
前記第２露出面は、前記第１露出幅よりも小さい第２露出幅を有する
基板処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理方法において、
前記第１露出幅は、１００ｎｍ以上である
基板処理方法。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理方法において、
前記第１露出幅は、１０，０００ｎｍ以上である
基板処理方法。
【請求項５】
請求項２に記載の基板処理方法において、
前記第２露出幅は、５０ｎｍ以下である
基板処理方法。
【請求項６】
請求項２に記載の基板処理方法において、
前記第２露出幅は、１０ｎｍ以下である
基板処理方法。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第２露出面は、凹所に位置する
基板処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理方法において、
前記基板は、
前記第２層の組成とは異なる組成を有する第３層と、
前記第２層の組成とは異なる組成を有する第４層と、
を含み、
前記第２層は、前記第３層と前記第４層の間に配置され、
前記凹所は、前記第２層と前記第３層と前記第４層によって、形成される
基板処理方法。
【請求項９】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記エッチング液は、ｐＨ調整剤を含む
基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理方法において、
前記ｐＨ調整剤は、酸性を示す
基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法と基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、および、太陽電池用基板のいずれかである。
続きを表示（約 880 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、基板を処理する基板処理方法を開示する。基板処理方法は、洗浄工程を含む。洗浄工程では、基板は処理液で洗浄される。処理液は、水素が重水素で置換されているフッ化水素酸と、重水を含む。洗浄工程では、基板上の酸化膜は、除去される。さらに、洗浄工程では、基板の表面の未結合手は、重水素で終端される。
【０００３】
基板の表面の未結合手を重水素で終端するために、処理液は重水を含む。処理液が重水を含む目的は、基板の表面の未結合手を重水素で終端するためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平１０－２８４４６４公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の基板処理方法であっても、基板を適切に処理することが困難であることがある。
【０００６】
例えば、酸化膜の除去は、エッチングにも相当する。酸化膜は、被エッチング層の例である。近年、被エッチング層は、複雑であることがある。このため、従来の基板処理方法であっても、基板を適切にエッチングすることは困難であることがある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に処理する基板処理方法と基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究した。その結果、第１事項が知見された。
【０００９】
第１事項：脱イオン水を含むエッチング液による被エッチング層のエッチングレートは、重水を含むエッチング液による被エッチング層のエッチングレートよりも、高いことが多い。
【００１０】
第１事項によれば、基板を効率良く処理するためには、脱イオン水を含むエッチング液は、重水を含むエッチング液よりも、有用である。
（【００１１】以降は省略されています）

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