特許ウォッチ

公開番号2025115617
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2024010173
出願日2024-01-26
発明の名称半導体ウェハの搬送方法及び半導体ウェハ搬送装置
出願人ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H01L 21/677 20060101AFI20250731BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】非接触式チャックが半導体ウェハから脱離されているか否かの判定ミスを抑制可能な半導体ウェハの搬送方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハの搬送方法は、光センサが設けられている非接触式チャックと第1主面を有する半導体ウェハとを準備する工程と、光センサと第1主面とが間隔を空けて対向するように非接触式チャックを配置する工程と、非接触式チャックを第1主面に近づける前に、光センサが第1主面に光を照射するとともに第1主面において反射された光の強度である第1強度を測定する工程と、非接触式チャックを第1主面に近づけるとともに非接触式チャックが第1主面に気体を吹き付けることにより非接触式チャックが半導体ウェハを非接触状態で保持する工程と、非接触式チャックを第1主面から離していくことにより、非接触式チャックを半導体ウェハから脱離させる工程とを備える。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
光センサが設けられている非接触式チャックと第１主面を有する半導体ウェハとを準備する工程と、
前記光センサと前記第１主面とが間隔を空けて対向するように前記非接触式チャックを配置する工程と、
前記非接触式チャックを前記第１主面に近づける前に、前記光センサが前記第１主面に光を照射するとともに前記第１主面において反射された光の強度である第１強度を測定する工程と、
前記非接触式チャックを前記第１主面に近づけるとともに前記非接触式チャックが前記第１主面に気体を吹き付けることにより前記非接触式チャックが前記半導体ウェハを非接触状態で保持する工程と、
前記非接触式チャックを前記第１主面から離していくことにより、前記非接触式チャックを前記半導体ウェハから脱離させる工程と、
前記非接触式チャックを前記第１主面から離していく過程で、前記光センサが前記第１主面に光を照射するとともに前記第１主面で反射された光の強度である第２強度を測定する工程とを備え、
前記非接触式チャックを前記半導体ウェハから脱離させる工程では、前記第２強度が前記第１強度となった際に、前記非接触式チャックが前記半導体ウェハから脱離されたと判定される、半導体ウェハの搬送方法。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記非接触式チャックは、ベルヌーイチャック又はサイクロンチャックである、請求項１に記載の半導体ウェハの搬送方法。
【請求項３】
前記非接触式チャックは、前記光センサが前記第１主面の中央部と対向するように配置される、請求項１に記載の半導体ウェハの搬送方法。
【請求項４】
前記非接触式チャックは、前記光センサが前記第１主面の外周部と対向するように配置される、請求項１に記載の半導体ウェハの搬送方法。
【請求項５】
前記光センサは、反射型センサである、請求項１に記載の半導体ウェハの搬送方法。
【請求項６】
前記光センサは、前記第１主面に照射する光の光源を有し、
前記光源は、赤色半導体レーザを有する、請求項１に記載の半導体ウェハの搬送方法。
【請求項７】
前記光センサは、前記第１主面に照射する光の光源を有し、
前記光源は、前記第１主面に波長が６４０ｎｍ以上７７０ｎｍ以下の光を照射する、請求項１に記載の半導体ウェハの搬送方法。
【請求項８】
前記半導体ウェハは、シリコンウェハ、ＳＯＩウェハ、炭化ケイ素ウェハ、サファイアウェハ、窒化ガリウムウェハ、リン化ガリウムウェハ及びヒ化ガリウムウェハのいずれかである、請求項１に記載の半導体ウェハの搬送方法。
【請求項９】
前記第１主面及び前記第１主面の反対面である前記半導体ウェハの第２主面のいずれか一方には、電気回路パターンが形成されている、請求項１に記載の半導体ウェハの搬送方法。
【請求項１０】
前記第１主面には、前記電気回路パターンが形成されている、請求項９に記載の半導体ウェハの搬送方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体ウェハの搬送方法及び半導体ウェハ搬送装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、特開２０２３－９７７７０号公報（特許文献１）には、半導体ウェハ搬送装置が記載されている。特許文献１に記載の半導体ウェハ搬送装置は、非接触式チャックを有している。非接触式チャックは、半導体ウェハの主面に気体を吹き付けることにより、半導体ウェハを非接触状態で保持する。非接触式チャックには、半導体ウェハの主面と対向するように、センサが設けられている。センサは、非接触式チャックに半導体ウェハが保持されているか否かを判定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－９７７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
非接触式チャックに設けられるセンサとしては、反射型センサが考えられる。反射型センサでは、半導体ウェハの主面で反射された光の強度を測定する。この強度と予め設定された閾値とを比較することにより非接触式チャックが半導体ウェハから脱離されているか否かを判定しようとすると、判定ミスが生じるおそれがある。その他の課題及び新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の半導体ウェハの搬送方法は、光センサが設けられている非接触式チャックと第１主面を有する半導体ウェハとを準備する工程と、光センサと第１主面とが間隔を空けて対向するように非接触式チャックを配置する工程と、非接触式チャックを第１主面に近づける前に、光センサが第１主面に光を照射するとともに第１主面において反射された光の強度である第１強度を測定する工程と、非接触式チャックを第１主面に近づけるとともに非接触式チャックが第１主面に気体を吹き付けることにより非接触式チャックが半導体ウェハを非接触状態で保持する工程と、非接触式チャックを第１主面から離していくことにより、非接触式チャックを半導体ウェハから脱離させる工程と、非接触式チャックを第１主面から離していく過程で、光センサが第１主面に光を照射するとともに第１主面で反射された光の強度である第２強度を測定する工程とを備える。非接触式チャックを半導体ウェハから脱離させる工程では、第２強度が第１強度となった際に、非接触式チャックが半導体ウェハから脱離されたと判定される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の半導体ウェハの搬送方法によると、非接触式チャックが半導体ウェハから脱離されているか否かの判定ミスを抑制可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
搬送装置ＤＥＶの模式的な平面図である。
搬送装置ＤＥＶの模式的な側面図である。
搬送装置ＤＥＶの機能ブロック図である。
変形例に係る搬送装置ＤＥＶの模式的な平面図である。
搬送装置ＤＥＶを用いた半導体ウェハＳＷの搬送方法の工程図である。
チャック配置工程Ｓ２を説明する模式的な側面図である。
反射強度測定工程Ｓ３を説明する模式的な側面図である。
半導体ウェハ保持工程Ｓ４を説明する模式的な側面図である。
チャック脱離工程Ｓ５を説明する模式的な側面図である。
光センサＯＳと第１主面ＭＳ１との間の距離を変化させた際の光センサＯＳの受光部で測定される反射光の強度を示すグラフである。
半導体ウェハＳＷの表面における色と半導体ウェハＳＷの表面における赤色光の反射率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示の実施形態を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。実施形態に係る半導体ウェハ搬送装置を、搬送装置ＤＥＶとする。
【０００９】
（搬送装置ＤＥＶの構成）
以下に、搬送装置ＤＥＶの構成を説明する。
【００１０】
図１は、搬送装置ＤＥＶの模式的な平面図である。図２は、搬送装置ＤＥＶの模式的な側面図である。図１及び図２に示されているように、搬送装置ＤＥＶは、非接触式チャックＣＨＫを有している。非接触式チャックＣＨＫは、半導体ウェハＳＷを非接触で保持する。半導体ウェハＳＷは、図１中及び図２中において、点線で示されている。半導体ウェハＳＷは、第１主面ＭＳ１と、第２主面ＭＳ２とを有している。第２主面ＭＳ２は、第１主面ＭＳ１の反対面である。第１主面ＭＳ１及び第２主面ＭＳ２は、半導体ウェハＳＷの厚さ方向における端面である。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許